BJT hfe

[wolfheart_2001]

hei,
i käyttämiä transistori
n teoriassa kiinteä β (hfe), mutta käytännössä i found for että 2n3904 transistori (esim..) on monia arvoja β, kukin erityinen Ic-arvo, joten mitä tahansa analoginen tulo ei korostua lineaarisesti.Voiko joku selittää tämän minulle!

 

[samcheetah]

wolfheart_2001 juttu on se, että kun suunnittelu erillinen transistori vahvistin on varmistettava, että tuotanto ei ole beeta riippuvainen.

Syynä on, kuten on todettu, että eri transistorit on sama numero on erilaisia arvoja, beeta-ja Infact transistorit on sama Pii on erilaisia arvoja beta.ja tehdä asioita huonompaan beeta muutoksia lämpötilan ja että muutos on varmasti ole lineaarinen.

on ratkaisu tähän ongelmaan.vuonna diskreetti transistori vahvistimet käytämme nykyisen palautteesi myös päästöjen aiheuttaja vastus niin, että suunnittelu
doesnt riippuu beta.löydät tällaisia piirejä vuonna oppikirjoja tai Internetissä.

niin aina kun voit suunnitella vahvistimen avulla beeta todiste!

 

[wolfheart_2001]

Hyvä samcheetah,
Voitko antaa minulle nimen hyvän kirjan tai verkkosivun että keskustella trans:
n käytännössä, sillä kaikki kirjat luin ehdotetaan käytettäväksi yhden β varten transistorit
ja antaa vähän huomiota käytännön käytöstä.

 

[samcheetah]

hyvin kyllä tietenkin

Haluaisin suositella seuraavia kirjoja

The Art of Electronics on Horowitz ja Hill
Microelectronic Circuits on Sedra Smith
Elektroniset laitteet ja Circuits on Bogart

ja lisäksi edellä mainittujen teosten i Suosittelen voit mennä verkkosivun

http://amasci.com/amateur/transis.html

 

[ddt694]

http://www.electronics-tutorials.com/amplifiers/negative-feedback.htm

http://www.web-ee.com/Primers/Tutorials.htm

Donald A. Neamen, elektronisen piirin analyysi ja suunnittelu, toinen painos, pp192-197, pp219-229

 

[Karthikeya]

wolfheart_2001
syy voi olla explianed kautta Gummel tontti ....
on kolme alueiden β --

1) @ matala-injektion β kasvaa Ic lisääntyy, koska perusvaluutan nykyinen kasvaa hitaasti verrattuna IC takia tuotanto-ja rekombinaationa on perusvuonna.
β T Ic ^ (1-1 / n) n -> rekombinaationa tekijä

2) @ korkean tason injektioneste β T Ic ^ (-1), koska Ib kasvaa nopeammin kuin Ic.Tämä alue on hyödyllistä teho sovelluksia.

3) @ puolivälissä tason injektioneste β on vakio.Se on tällä alueella, jossa useimmat vahvistimet toimivat.
.... u voi siirtää kirja "Streetman" lisätullia info

terveisin

 

[haseebcu]

tosiasiallisesti β riippuu riippuu dopingin pitoisuus thats y se vaihtelee IC IC mutta paricular IC on vakio

 

[samcheetah]

haseebcu wrote:

tosiasiallisesti β riippuu riippuu dopingin pitoisuus thats y se vaihtelee IC IC mutta paricular IC on vakio