M
mickey_melomane
Guest
Mikä on (tarve / hyöty) painottamiskäytäntöä transistori heikoissa inversio alueella? Plz luettelo joitakin tutoriaaleja jos joku tietäisi! Sidharth
Navigation
Install the app
How to install the app on iOS
Follow along with the video below to see how to install our site as a web app on your home screen.
Note: This feature may not be available in some browsers.
More options
You are using an out of date browser. It may not display this or other websites correctly.
You should upgrade or use an alternative browser.
You should upgrade or use an alternative browser.
S
safwatonline
Guest
suurin gm / ID MOS
S
saro_k_82
Guest
Lisäksi voit myös saada paremmin harha marginaaleja
M
mickey_melomane
Guest
Voisitko selittää yksityiskohtaisesti, miksi tarvitset suuremman GM / I-suhde ... ja mitä bias marginaali ... Eikö VGS lisätä korkeamman valua virtaukset, edellyttäen Vd ei laske alle Vdsat ...?
S
saro_k_82
Guest
Painotusasetukset heikoissa inversio tarkoittaa tehdä laitetta paljon suurempi niin, että VGSeff ole paljon ajaa sähkövirran vaadittava. Joten VDS istui vähissä joka tarjoaa enemmän jännitealue Jos laitteet toimivat oikein. Lisää GM tarjoaa enemmän vahvistusta. GM voidaan parantaa myös lisäämällä I., mikä tekee GM / I Hyvyysluku.
M
mickey_melomane
Guest
Ei sama asia koskee tulo transistorit ja 5-T NMOS input differentiaalivahvistin? Tai mikä vahvistimet 5-T diff paria, olla puolueellinen heikko käännellen. (Olettaen nykyiset lähde kuorman tai nykyinen peili kuormitus)
M
mickey_melomane
Guest
Mikä on (tarve / hyöty) painottamiskäytäntöä transistori heikoissa inversio alueella? Plz luettelo joitakin tutoriaaleja jos joku tietäisi! Sidharth
S
safwatonline
Guest
suurin gm / ID MOS
S
saro_k_82
Guest
Lisäksi voit myös saada paremmin harha marginaaleja
M
mickey_melomane
Guest
Voisitko selittää yksityiskohtaisesti, miksi tarvitset suuremman GM / I-suhde ... ja mitä bias marginaali ... Eikö VGS lisätä korkeamman valua virtaukset, edellyttäen Vd ei laske alle Vdsat ...?
S
saro_k_82
Guest
Painotusasetukset heikoissa inversio tarkoittaa tehdä laitetta paljon suurempi niin, että VGSeff ole paljon ajaa sähkövirran vaadittava. Joten VDS istui vähissä joka tarjoaa enemmän jännitealue Jos laitteet toimivat oikein. Lisää GM tarjoaa enemmän vahvistusta. GM voidaan parantaa myös lisäämällä I., mikä tekee GM / I Hyvyysluku.
M
mickey_melomane
Guest
Ei sama asia koskee tulo transistorit ja 5-T NMOS input differentiaalivahvistin? Tai mikä vahvistimet 5-T diff paria, olla puolueellinen heikko käännellen. (Olettaen nykyiset lähde kuorman tai nykyinen peili kuormitus)
M
mickey_melomane
Guest
Mikä on (tarve / hyöty) painottamiskäytäntöä transistori heikoissa inversio alueella? Plz luettelo joitakin tutoriaaleja jos joku tietäisi! Sidharth
S
safwatonline
Guest
suurin gm / ID MOS
S
saro_k_82
Guest
Lisäksi voit myös saada paremmin harha marginaaleja
M
mickey_melomane
Guest
Voisitko selittää yksityiskohtaisesti, miksi tarvitset suuremman GM / I-suhde ... ja mitä bias marginaali ... Eikö VGS lisätä korkeamman valua virtaukset, edellyttäen Vd ei laske alle Vdsat ...?
S
saro_k_82
Guest
Painotusasetukset heikoissa inversio tarkoittaa tehdä laitetta paljon suurempi niin, että VGSeff ole paljon ajaa sähkövirran vaadittava. Joten VDS istui vähissä joka tarjoaa enemmän jännitealue Jos laitteet toimivat oikein. Lisää GM tarjoaa enemmän vahvistusta. GM voidaan parantaa myös lisäämällä I., mikä tekee GM / I Hyvyysluku.
M
mickey_melomane
Guest
Ei sama asia koskee tulo transistorit ja 5-T NMOS input differentiaalivahvistin? Tai mikä vahvistimet 5-T diff paria, olla puolueellinen heikko käännellen. (Olettaen nykyiset lähde kuorman tai nykyinen peili kuormitus)