Lineaarinen vs s-parametri ne68100 ongelma

[eladg]

Hei kaikki.Halusin rakentaa vco.I teki ei-lineaarinen malli on NE68100
puolueellinen, ja tarkistanut S parametri, ja vertasi sitä S parametri tiedosto.
(I veryfied että DCpoint ja DE embeded)
Ehdotuksia olisi hyvä,
Paras,
Elad

 

[rfmw]

Mikä on ongelma?

 

[eladg]

rfmw wrote:

Mikä on ongelma?

 

[Radiohead]

Se on ongelma malleja: They're vain malleja.Haluaisin mieluummin luottaa siihen, että S-parametrien (jotka ovat mittausten joka tapauksessa) ja mieluiten juuri sinun mitattu substraatin, valinnan.Voit käyttää mausteen malleja nopeasti ja likainen analyysejä, kuten DC harhan tai harmonista sisältöä.Jopa vaiheen melu ennuste jossain määrin, mutta jos todella haluamme tietää: rakentaa ja mitata VCO ja optimoida käsin.

Muutamia vinkkejä miksi malli voi olla erilainen: on substraatti, joista S-parametrien mitattiin otetaan huomioon?Jos oli vertailutasona varten S-parametrien mittaus?Onko paketti parasitics sisälly mausteen mallin mukaisesti transistori?

 

[fernetbranca]

Simuloida piirin avulla transistori
n epälineaarinen malli, myös bias verkoista haluamasi bias kohta (sama kuin s-parametrit)
Simuloi suuria signaali Gain.Jos käytät Microwave Office,
jossa on Epälineaarinen simulointien luettelo,
joka on nimeltään LSSnm ja verrata s-parametrien tiedosto
Varmasti vastauksista simuloitu eroavat toisistaan jonkin verran, jos epälineaarinen malli on riittävän hyvä

 

[eladg]

fernetbranca wrote:

Simuloida piirin avulla transistori n epälineaarinen malli, myös bias verkoista haluamasi bias kohta (sama kuin s-parametrit)

Simuloi suuria signaali Gain.
Jos käytät Microwave Office, jossa on Epälineaarinen simulointien luettelo, joka on nimeltään LSSnm ja verrata s-parametrien tiedosto

Varmasti vastauksista simuloitu eroavat toisistaan jonkin verran, jos epälineaarinen malli on riittävän hyvä