muutos Vt vaihtelemalla W / L

[rogger123]

hei
on mahdollista vaihdella kynnys jännite NMOS / hankehallinnoinnista vastaavien elinten luona vaihtelemalla W / L-suhde?

 

[DrDolittle]

Voi kyllä, tutkimuksessa noin kanavan pituus mukauttaminen Microelectronic Laitteet Sedra / Smith, joka selittää kysymyksesi

Terveisin
drdolittle

 

[rogger123]

hei
unfortuntely Minulla ei ole Sedra ja Smith ja minä CUD ei löydä sitä aluksella.
voisi u selittää, miten raja-jännitettä voidaan lisätä / väheni vaihtelemalla W / L-suhde.
Tarkoitan tietyn teknologian Vt on kiinteä ja riippuu pääasiassa prosessiparametrejä ja VSB (lähde substraatti).Lyhyesti kanava laitteiden olemme DIBL joka vähentää Vt mutta se on riippuvainen Vds.

 

[mohdfaaf]

Sikäli kuin tiedän Vt ei ole riippuvainen sen W tai L pitkän kanavan laite (long L).Kuitenkin, kuten CMOS-transistorin skaalaus on päästy hyvin pieni kanavan pituus on korkean suorituskyvyn.Siksi Vt lyhyen kanava on riippuvainen L.

Sinun täytyy etsiä Internet for details.

 

[tarook79]

Hei
En voi ehdottaa teille toinen kirja, joka selittää asiaa, se on:
CMOS Circuit Design, layout, ja simulointi
R. Jacob Baker, Harry W. Li, andDavid E. Boyee
IEEE Press sarja Microelectronic Systems 1998

 

[mariaR]

Process Engineer valvonta Vt, suunnittelija valvonta W ja L

 

[devrimaksin]

Hei
Vt on Notting tehdä kanavan pituus modulaatio.
Pitkissä kanava laite tämä ei ole mahdollista.
Mutta lyhyen kanavan laitteen sekä W ja L muutokset Vt

Näin se toimii, voidaan kytkeä laitteeseen, sinun on luotava inversio kerroksen alapuolella on portin oikein, nyt lyhyen kanavan pituus laitteita, osa inversio kerros maksu, jonka väheneminen alueella vastaavan lähteen terminaalin.Tämä vähentää tehokkaasti threshol jännite.Niin, että voit mennä hyvin lyhyen laitteen pituus VT vähenee.Jos transistori pituus on suuri, suhteellinen sisällyttäminen maksu on vähäinen, niin kauan L sinulla ei näe mitään muutosta.

Toisaalta, kun vahvistetaan transistori, voit tietää, että poly portin tulisi olla suurempi kuin leveys transistori (tai diffuusio kerros), ylimääräinen osa ulkopuolella leviämistä alueen varastaa osan kanavan maksu,
Hyvin lyhyt leveys laitteiden tämän varastetut maksu voi olla merkittävä, joten sen tuloksen kasvu raja jännitettä.Näin ollen jos leveys on pieni, threshol jännite kasvaa.

Nykyaikaisissa prosessi (etenkin lyhyen kanavan prosessit), on outoja menetelmiä (liittyvillä) lisätä Vt vähentää vuotoja.