S
santhosh.mandugula
Guest
Hei kaikki ...Mikä on Poly kanava lopettaa?Miksi reqiured jännitteellisiin prosessissa?Thanx in advance ...
Navigation
Install the app
How to install the app on iOS
Follow along with the video below to see how to install our site as a web app on your home screen.
Note: This feature may not be available in some browsers.
More options
You are using an out of date browser. It may not display this or other websites correctly.
You should upgrade or use an alternative browser.
You should upgrade or use an alternative browser.
E
electronXwork
Guest
Aiotko kanava lopettaa implantit?
R
rfsystem
Guest
Kuvitelkaa on kaksi NWELL on joitakin um toisistaan.Välissä on paksu kenttä oksidi ja alapuolella PSUB.Jos on poly lanka on suurjännite yläpuolella alalla oksidi se voi laukaista vuotovirrat välillä NWELL's.Yksinkertaisesti poly on NMOS kanssa NWELL on yhtä valua / lähde ja PSUB kuin irtotavarana.Riippuen alalla oksidin paksuuden kynnys jännite on välillä 5V ja 30V.Mutta myös pienempi kynnys on vuotovirrat.
Hyvä tarkastus asennus tunnistaa ei-toivotut componenents.Metal gate MOS olemassa myös, mutta etäisyys on suurempi, sillä on muita CVD oksidi.
Hyvä tarkastus asennus tunnistaa ei-toivotut componenents.Metal gate MOS olemassa myös, mutta etäisyys on suurempi, sillä on muita CVD oksidi.
N
ninge
Guest
Hey kanisteri u kertoa saman tarkemmin please .....
R
rfsystem
Guest
Mielestäni tämä artikkeli antaa hyvän ja yksityiskohtaisen käyttöönottoa.
http://www.latticepress.com/cmosiso.html
http://www.latticepress.com/cmosiso.html
T
Troijaan
Guest
Aivan kuten poly voi luoda loistauti MOSFET sitä voidaan käyttää estämään yksi soveltamalla korjata mahdolliset siihen.Jos se on 2 N-diffusions tie on pieni, jos se on 2 P-diffusions tie on korkea.
Metal kulkee vieressä diffusions voi myös luoda lois MOSFETs ja lisäämällä poly rengas levittämistä ja tieing se oikea mahdollisesti se voi estää metallin alkaa muodostaa loistaudit MOSFET.
Metal kulkee vieressä diffusions voi myös luoda lois MOSFETs ja lisäämällä poly rengas levittämistä ja tieing se oikea mahdollisesti se voi estää metallin alkaa muodostaa loistaudit MOSFET.