sekoittaa ja simulointi

[yannsun]

Hi all,
Yritän simuloida klassinen puoli aalto Rectifier piiri yhdellä vastus ja diodi on HSPICE, mutta tulos osoittaa voutfollows vin, eli ei ole mitään vaikutusta, diodi vaihtaa toiminnon aikana vd muutosta.Olen hämmentynyt ja haluavat myös tietää, onko HSPICE voi kunnolla simuloida diodi ohimenevä ominaisuuksista, ja niitä ei kukaan käytä HSPICE, PSPICE tai muita simulaattori ohjelma, onnistutaan saamiseksi diodi piiri ohimenevä simulointi tulos?
Seuraavassa on netlist luonnos kanssa diodi mallia.

V1 vin 0 SIN 0 5 10MEG 0
D1 vin vout PDIODE
R1 vout 0 1K
. TRAN 0.5n 1u
. PROBE TRAN v (vout) v (vin)
. vaihtoehdoista koetin

# # # ┌ ┐ ┌ ┐ ┌ ┐
# # # # └ ┘ └ ┘ └ =>
# # # ┌ ┐ ┌ ┐ ┌ ┐
# # # # └ ┘ └ ┘ └
SIN tulo (PUSLE panos näkyy samanlainen tulos)

 

[FVM]

Mitä tarkoitat, vout seuraa vin myös aikana negatiivinen halfwave?Tässä tapauksessa jotain olisi pielessä, diodi mallia.Yleisesti kaikki SPICE-versiossa voi tehdä tällainen yksinkertainen simulaatioita ja I eivät odota suuria eroja tulokseen.Entä käytetty diodi malli?Jos se on breakout osa, se todennäköisesti ei ole aikaa huollettavina parametrit tai risteykseen kapasitanssi.Niin et näe todellista diodi käyttäytyminen ohimenevä analyysi, vain staattinen diodi ominaisuudet.

 

[LVW]

Olen melko varma, että "virhe lähde" on taajuus, joka on liian korkea, millainen diodi käytät.The diodi kapasitanssi on vastuussa tästä vaikutus.
Kokeile taajuudella 100 kHz - ja näet kaikki on odotetusti.
LVW

 

[FVM]

Luulen, olet oikeassa.Itse en voinut kuvitella käyttää valtaa diodi vuonna simulointi on 10 MHz, mutta minun olisi pitänyt tietää paremmin ...

 

[yannsun]

Kiitos ajastasi, ongelma ratkaistu.
Itse asiassa, PDIO tarkoittaa P / NWELL diodi,
joka on yksi pop-diodi implementaion vuonna CMOS-prosessissa.FVM, olet oikeassa, keskeneräisiä parametri asennusohjelma diodi aiheuttaa tulokseen nähden väärin täysi aalto.