Q
qslazio
Guest
Hi jokainen,
Olen juuri lukenut Ken Kundert n kirja Spice & spetre noin AC simulaatio palautetta piiri.(kohta 3.4.1)
Kirjassaan hän mainitsi, että tarkin tapa luonnehtia todellinen palaute piiri on käyttää kahta porttia parametri (Y, Z, G, H), koska tämä menetelmä kuuluu luonnollisesti kaikki palaute ja feedforward (kaksisuuntainen) vaikutus ja lastaus vaikutus yhdeksi kahden sataman esityksen, vaikka sinun ei tarvitse avata palautetta silmukka.Kun saat parametrin decideded, saat kaikki palaute (avoimen piirin voitto, suljetun silmukan voitto).
Olen hieman utelias, että mitä käytännön haittaa kahden sataman parametrin menetelmää, jossa 2 porttia todellinen piirien tulisi käyttää purkaa parametri?Entä piiri, joka ei ole nimenomaista tulo-tai lähtö-portti (kuten bandgap)?Joista kaksi satama parametri olisi valittava tietyn piirin?
Lisäksi Middlebrook menetelmä näyttää olevan hieman suositumpi kuin edellä mainittua menetelmää, on se oikea?
Nyt aion analyysin silmukan vakaus bandgap (piiri ei vaikuta niin Khong-Meng Tham paperista, JSSC 1995 toukokuu VOL.30 No.5 "vähän Syöttöjännite High PSRR Voltage Reference CMOS-prosessi).
Olen valita yksi menetelmä kuvaamaan palautetta sisäänrakennettu bandgap.Millä tavalla pitäisi valita?
Kuka tahansa haluta antaa oman lausuntonsa.Suurkiitokset!
Olen juuri lukenut Ken Kundert n kirja Spice & spetre noin AC simulaatio palautetta piiri.(kohta 3.4.1)
Kirjassaan hän mainitsi, että tarkin tapa luonnehtia todellinen palaute piiri on käyttää kahta porttia parametri (Y, Z, G, H), koska tämä menetelmä kuuluu luonnollisesti kaikki palaute ja feedforward (kaksisuuntainen) vaikutus ja lastaus vaikutus yhdeksi kahden sataman esityksen, vaikka sinun ei tarvitse avata palautetta silmukka.Kun saat parametrin decideded, saat kaikki palaute (avoimen piirin voitto, suljetun silmukan voitto).
Olen hieman utelias, että mitä käytännön haittaa kahden sataman parametrin menetelmää, jossa 2 porttia todellinen piirien tulisi käyttää purkaa parametri?Entä piiri, joka ei ole nimenomaista tulo-tai lähtö-portti (kuten bandgap)?Joista kaksi satama parametri olisi valittava tietyn piirin?
Lisäksi Middlebrook menetelmä näyttää olevan hieman suositumpi kuin edellä mainittua menetelmää, on se oikea?
Nyt aion analyysin silmukan vakaus bandgap (piiri ei vaikuta niin Khong-Meng Tham paperista, JSSC 1995 toukokuu VOL.30 No.5 "vähän Syöttöjännite High PSRR Voltage Reference CMOS-prosessi).
Olen valita yksi menetelmä kuvaamaan palautetta sisäänrakennettu bandgap.Millä tavalla pitäisi valita?
Kuka tahansa haluta antaa oman lausuntonsa.Suurkiitokset!