Logic Gate Transistor kysymys

S

sh3rmy

Guest
Olen vain oppia elektroniikan ja ymmärrän, miten transistorit työtä, mutta en pysty kanssa math puolta.Olen tutkii yhden transistorin invertteri (jota olen tehnyt erittäin huonosti alla).

Jos minulla on lomakkeessa on transistorin haluan käyttää, mitä tietoja tarvitsen, ja miten voin käyttää sitä, saada selville, mitä vastukset tarvitsen?<img src="http://images.elektroda.net/60_1207189062.png" border="0" alt="Logic Gate Transistor Question" title="Logic Gate Transistor kysymys"/>Minulle kerrottiin käyttää 10kohm vastus on perusta, ja 100ohm vastus on keräilijä, mutta miksi?Kukaan ei voi näyttää selittää sen minulle.Voiko kukaan auttaa minua?

Thanks muchly,
Michael

 
Transistori parametri hyödyllisintä on beta.Tarvitset riittävän perustan nykyisen siten, että beta-kertainen virtaa keräilijä ja kerääjän vastus on tarpeeksi suuri lasku kaikki Vcc tällä keräilijä nykyinen.

Sitten lisätä vaihtamalla nopeuden sinun täytyy mennä eteenpäin ja on "yli ajaa" vaikutus mitoitusta vastukset siten, että yli keräilijä nykyisestä.Tämä tekee syksyn ajan nopeammin.Tämä ei voi olla liioiteltua, sillä varastoitu ylimääräinen maksu tekee nousuaikaan hitaammin.

 
Minusta sinun pitäisi tarkastella Digitaalielektroniikka Demistyfied:
http://www.edaboard.com/download.php?id=142030
sekä Digital Design periaatteita ja käytäntöjä:Lisätään 2 minuuttia:http://www.edaboard.com/download2.php?id=73673

 
Thanks for your help.Ollut erittäin hyödyllinen.

<img src="http://www.edaboard.com/images/smiles/icon_smile.gif" alt="Hymyillä" border="0" />Kiitos jälleen,
Michael

 
Hi Phart,
Beta käytetään lineaarisen vahvistimen transistori.Virran transistorin piirien käyttö "Max kylläisyyttä jännite" luokitus transistori, jossa pohja nykyinen on 1:10 keräilijä nykyinen, vaikka beta on erittäin korkea.

Monet transistorit ovat theur beta spec'd kanssa Vce on 10V, kaukana kylläisyyttä.

 
Tarkista beta (hfe), VCEsaturation, Max IC (colector tällä hetkellä), VBE.
On yksinkertainen esimerkki:

Sinun transistori on yhteinen NPN kanssa max 100mA max Ic, 0,5 Vcesat klo 20mA Ic, 0.7V Vbe ja beta 100 vähimmäis-ja 400 max.

Jos haluat antaa 20mA lähtöön, Ib min olisi: 20mA/100 = 0.2mA.
Tämä johtaa Rb (base vastus) laskeminen: (Vin - 0,7) / 0.2mA.Sanotaan, että Vin on 2.4V Pienin korkea logiikan tasolla, joten Rb = (2,4- 0,7) / 0,0002 = 8500 ohmia

Rc voidaan laskea: (Vcc - Vcesat) / 20mA = (4,5) / 20mA = 225 ohmia

Rc rajoittaa lähtövirta.RB rajoittaa perustaa nykyisen.Katso, että Vcesat on lähtötasoa huonon logiikan tasolla.

Jos tulojännite on 0,8 V (pieni looginen taso), tuloste on:
Ib = (0,8 - 0,7) / 8500 = 12uA
IC = 12uA x 400 (huonoin) = 4.8mA (transistori tekee hieman nykyisestä, ei ole leikattu)
VRC = 4.8mA x 225 = 1.08V
Vc = Vcc - Vrc = 5 - 1.08V = 3.9V (taattu tuotannon korkean logiikan tasolla jännite)

Sinun pitäisi tehdä laskelmia Extreme jännitteillä kunkin logiikan tasolla ja käyttää max ja min transistorin tiedot saadaan tuotannon jännitteet halutut tuotannon logiikan tasolla.

 
rkodaira kirjoitti:

Jos haluat antaa 20mA lähtöön, Ib min olisi: 20mA/100 = 0.2mA.
 
Quote:

No

Se ei ehkä kyllästää.
HFE käytetään, kun se on ei-kyllästää lineaarinen vahvistin runsaalla Vce.
Base nykyinen olisi Ic/10 että se kyllästää hyvin.
 
Ei kukaan käytä vanhoja TTL enää?
Se vajoaa ainakin 16mA, mutta se lähteistä hyvin vähän ja sen suuri lähtöjännite on vain noin 3.2V.

Entä CMOS-logiikka piiri kanssa 5V tarjonta?Sen pienin lähtövirta on vain 1mA.

Jos haluat transistorit on kyllästetty, anna heille riittävän perustan nykyisen heille kaikki kyllästää.Tai vain osan transistorien on kyllästetty.

 
Hei,Menettely selitetään, miten valita sopiva kytkentä transistori.
NPN transistori kytkin
NPN transistori kytkin
(kuormitus on, kun IC tuotos on korkea)Yksiköitä käytetään laskelmissa
Muista käyttää V ja ohmia tai
V, mA ja kOhm.Yksityiskohtaisempia
Katso Ohmin laki sivulla.

1.Transistori n suurin keräilijä nykyinen Ic (max) on oltava suurempi kuin kuormitusvirta Ic.
kuormitusvirta IC = syöttöjännite Vs
kuormituksen kesto, RL
2.Transistori on vähintään nykyisen voitto hFE (min) on oltava vähintään viisi kertaa kuormitusvirta Ic jaettuna suurimmalla teholla virtaa IC.
hFE (min)> 5 × kuormitusvirta Ic
enintään.IC
3.Valitse transistori, joka täyttää nämä vaatimukset ja merkitse sen ominaisuuksia: Ic (max) ja hFE (min).
On taulukon tekniset tiedot joitakin suosittuja transistorit on transistorit sivulla.

4.Laske likiarvo base vastus:
RB = Vc × hFE jossa Vc = IC syöttöjännite
(yksinkertaisen virtapiirin yksi tarjonta tämä Vs)
5 × Ic

Yksinkertaisesta piiri, jossa IC ja kuorma sama virtalähde (Vc = Vs) sinun kannattaa käyttää: RB = 0,2 × RL × hFE

Valitse sitten lähimpään standardin arvo Base vastuksen.

5.Lopuksi, muista, että jos kuorma on moottori tai releen kelan suoja diodi on

Esimerkin
Tuloste 4000-sarjan CMOS IC on toimia välittäjänä ja 100ohm kelan.
Syöttöjännite 6V sekä IC ja kuorman.IC voidaan toimittaa enintään virran 5mA.

1.Kuormitusvirta = Vs / RL = 6 / 100 = 0.06A = 60mA, joten transistori on Ic (max)> 60mA.
2.Enimmäismäärä virtaa IC 5mA, niin transistori on hFE (min)> 60 (5 x 60mA/5mA).
3.Valitse yleinen tavoite pienitehoisia transistori BC182 kanssa Ic (max) = 100mA ja hFE (min) = 100.
4.RB = 0,2 × RL × hFE = 0,2 × 100 × 100 = 2000ohm.halutessaan RB = 1K8 ja 2K2.

Toivottavasti ymmärsitte
5.Releen kelan vaatii suoja diodi.

 
Hei.Tuotoksen vastus riippuu halutun tuotoksen vastus, joka tyypillisesti on alhainen.Base vastus on niin pieni kokonaan vaihtaa transistori.on pienempi kuin (Vcc / Rout / Beta) (esim. 2 kertaa pienempi kuin).

 
You must log in or register to reply here.

Welcome to EDABoard.com

Sponsor

Back
Top