Miten ymmärtää MOS vastus?

[cheenu_2002]

Hei,
Yritän käyttää MOSFET sijasta vastus.Olen uusi ckt suunnitella ja olen erittäin vaikea puhua yksipuolisesti sitä.Voiko kukaan auttaa minua ymmärtämään, miten puolueellisuus MOS lineaaristen aluetta, jotta se voi toimia vastus.Käytin ckt liitteenä mutta I dont tiedä, onko se oikea tapa kytkeä MOS ...Olen myös dont osata kuinka jotta mitata Vbe ja BJT on ckt.Sekä pohja ja päästöiltään ovat osoittaneet sama jännite.Olen cudnt ymmärtää whats tapahtuu.
Anteeksi, mutta sinun on kirjautumistunnuksen nähdäksesi tämän liitetiedoston

 

[nschutten]

MOSFET on sen lineaarisen alueen kun VDS <VGS-VT.Tämä on taattava varmistamalla VD = EH kuten kaavio.Huomaa, että sinun täytyy kytkeä suurin liitäntä qn0 GND, ei sen lähde.Lisäksi saattaa ilmetä puolueellisuus asioita, koska käyttötarkoitusta virtalähdettä (koska tämä on ihanteellinen, jos laite mitat eivät salli nykyisen käydä läpi haluamasi odottamattomia simulointitulokset saattaa esiintyä).
Lopuksi sinun kytkentäkaavio pohja solmu on sidottu GND sekä päästölähde solmu.Joten VBE = 0V.Transistori on kytketty diodi, eikä transistori.

 

[Raviprasad_K]

Hei,

Olen hämmentynyt edellä julkilausuman.Kun VD = EH, miten se täyttää VDS <VGS-VT.
VD = VG on ehto varmistaa, että transistori on saturaatio.

 

[cheenu_2002]

VDS> VGS-Vt on edellytys maintian MOS on kylläisyys.Tekijä tie'ing portti tyhjentää, MOS voidaan kytkeä päälle, mutta voi olla puolueellinen olevan lineaarinen alue tai kylläisyyttä.Pls korjata, jos olen väärässä.

 

[erikl]

nschutten kirjoitti:

node.
Lopuksi sinun kytkentäkaavio pohja solmu on sidottu GND sekä päästölähde
solmu.
=0V.
Joten VBE
= 0V.
Transistori on kytketty diodi, eikä transistori.